cb44f1c6

Qualcomm представит «трёхмерные» микропроцессоры в 2016 году

С 29 мая по 1 мая состоялась пресс-конференция International Symposium on Physical Design 2015 (ISPD-2015). На этом событии среди других отметилась организация Qualcomm. В роли официального дилера с любопытным отчетом выступил президент Qualcomm по исследованиям, Коричневым Араби (Karim Arabi). Начальник создателей сознался, что организация рассчитывает заметить в изготовлении объёменьшею сборку микропроцессоров в 2016 году. Переход на трёхмерную конструкцию, когда отвесно размещенные слои будут представлять собой практически монолит, а не некоторые слои, позволит снизить площадь SoC на 50%, мимоходом снижая уровень брака и наращивая мощность.

Образец применения ажурных TSVs-соединенений (3D NAND Intel и Micron)

Образец применения ажурных TSVs-соединений (3D NAND Intel и Micron)

Что любопытно, для объёмною сборки микропроцессоров организация не планирует применять обширно разрекламированные ажурные объединения (металлизацию) вида TSVs. С применением TSVs, напоминаем, сегодня производится либо готовится к производству 32- и 48-слойная флеш-память вида 3D NAND, и память SK Hynix HBM и Micron HMC. Для микропроцессоров либо SoC на данный момент учтена 2.5D-упаковка, когда различные кристаллы инсталлируются на совместную кремниевую площадку, а не друг на дружку. Отвесное расположение «процессорных» кристаллов будет требовать ажурных отвесных объединений, однако возможно обойтись и в их отсутствие, полагают в Qualcomm.

Образец поочередной сборки кристаллов без TSVs-соединенний (ресурс Qualcomm)

Образец поочередной сборки кристаллов без TSVs-соединений (ресурс Qualcomm)

Организация оценивает 2 вида ремонта 2-ух кристаллов (3 кристалла могут запаковываться в столб лишь по особым заявкам и пока не оцениваются в роли распространенного решения): поочередное (front-to-back, F2B) и противное (front-to-front, FF). При поочередной сборке предварительно создается нижний микролит, а потом на его рабочую плоскость наносится пласт в качестве стандартной подложки, на котором стандартным способом создается 2-й рабочий микролит. При такой очередности контактные проходы между высшим и нижним кристаллами относительно незначительные, однако появляется иная неприятность. Температура обработки кремниевой пластинки порядка 1200 C по Цельсию, и металлические дорожки и объединения нижнего пласта избито разольются. Переходить на вольфрам вместо меди не нужно из мнения понижения мощности, как и невозможно понижать температуру отжига, что также приведёт к деградации мощности.

Образец противной сборки кристаллов без TSVs-соединений (ресурс Qualcomm)

Образец противной сборки кристаллов без TSVs-соединений (ресурс Qualcomm)

Способ противной сборки лишён вышеперечисленных минусов, однако для торцевого объединения в отдельности произведенных кристаллов понадобится существенно повысить контактные объединения — точки соприкосновения 2-ух кристаллов, и в такой ситуации понадобится большая пунктуальность при совмещении слоёв. Логично, грядущие решения будут обретены оковём выбора примирительных раскладов, сочетающих оба способа. Также в компании полагают, что «нижний» пласт может производиться с применением наиболее заключительных техпроцессов, а «высокий» вполне может быть дополнительным и производиться с применением далеко не свежих техпроцессов. 3-им слоем, к примеру, может идти ячеистый сканер. Ко всему вышесказанному необходимо добавить, что организация Qualcomm может проектировать что угодно, лишь пользоваться она будет тем, что предложит договорный изготовитель полупроводников. В этом случае — организация TSMC. А организация TSMC, как мы знаем, с TSVs пока не дружит. Фактически, организация Intel также не жалует TSVs, полагая это необоснованно дорогой роскошью. В целом, одна вера на организацию «Самсунг». Если она сумела первой изучить выпуск 3D V-NAND, может она может также начать выпуск стековых SoC с применением TSVs?

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий